2005年07月05日

日立化成、CMPスラリー研究開発用に300ミリウエハー設備導入

【カテゴリー】：新製品/新技術（経営） 【関連企業・団体】：日立化成工業

日立化成工業は5日、05年12月完成を目標に、半導体用CMP スラリーの研究開発用クリーンルームを山崎事業所(茨城県日立市)内に増設し、300ミリウエハー対応研磨装置をはじめとする評価設備を導入すると発表した。投資額は約8億円の予定。 　 　CMP(化学的機械研磨:Chemical Mechanical Planarization)とは、半導体の素子分離工程や回路形成工程で発生するウエハー上の不用な材料の凹凸(シリコン酸化物被膜、層間絶縁材被膜、配線用金属被膜等)を研磨し平坦化する技術のことで、同社はこの用途に使用される研磨液CMP スラリーの世界シェアが現在約15%(世界第2位)、特に最先端のセリア系のSTI 用スラリーでは約60%、銅配線用スラリーでは約30%と、きわめて高いシェアを有している。 　 　300ミリウエハーは、現在普及している200ミリウエハーに比べて、ウエハー1枚当たりから取れるチップ数が約2.25 倍に増大するため、生産性向上とコスト削減に大幅に寄与することから、このところ、半導体メーカーの間で急速に採用が進んでいる。 　 ニュースリリース参照 http://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file1_1120538881.pdf