フレキシブルTFT−SRAM

　セイコーエプソン(花岡清二社長、TEL/03-3340-2637)は省エネルギーを目指した低消費電力、省スペースの電子デバイスを開発しているが、このほど世界で初めてのフレキシブルTFT(薄膜トランジスタ)−SRAM(16kビット)の開発に成功したことを明らかにした。

　このメモリおよび関連技術は、今後、登場が予想される小型、軽量、フレキシブルな電機製品にとって、重要な構成要素になるとしている。

　SRAMを構成するのに必要な全ての回路でロックを1チップ上に形成、これによってこれまでのフレキシブルメモリでは実現できなかった高速安定動作と低電圧駆動を実現したとしている。具体的には1セル当たり6トランジスタ構成の本格的なSRAMで、非同期8ビットマイクロプロセッサ(Act11＝自社技術)の記憶領域として作動。

　同社ではこれまでに薄膜技術を駆使した低温シリコンTFT(LTPS−TFT)技術やフレキシブル基板への転写実装を可能とするSUFLA(独自技術)などを開発してきた。これらは薄く、軽く、しなやかに曲るフレキシブルデバイスがねらいである。(SRAMはStatic Random Access Memoryの略) 問い合わせはTEL/0266-58-1705

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