2002年05月29日

昭和電工、ＭＯＣＶＤ原料用キレート金属錯体の量産化技術を世界で初めて開発

【カテゴリー】：新製品/新技術 【関連企業・団体】：昭和電工

昭和電工は29日、半導体製造工程、ディスプレーパネル製造工程などエレクトロニクス分野で用いられる、ＭＯＣＶＤ法(有機金属気相法)の新しい成膜材料として幅広い用途が期待されている、ジピバロイルメタナト金属錯体（ＤＰＭ錯体）の量産化技術開発に世界で初めて成功し、サンプル供給を開始したと発表した。 　ＤＰＭ錯体は通常の有機金属化合物に比べて蒸気圧が高いため、200℃程度の低温で蒸発し、酸素の存在下で容易に分解し金属酸化物を生成する、ＭＯＣＶＤ法の成膜原料として高い性能をもっている。また、ほとんどの金属元素はＤＰＭと錯体(金属と有機化合物の複合体)を形成するため、自由に多種類の金属酸化物を成膜することが可能という、優れた性能を発揮する。 　 　しかしこれまで、ＤＰＭ錯体の量産方法は確立されておらず、工業的に使用されることが稀な高価な材料だった。同社は長年にわたりＥＤＴＡ、生分解性キレート剤ＧＬＤＡをはじめとする各種キレート剤の製造・販売で培った有機合成、金属錯体合成技術を活かし、世界で初めてＤＰＭ錯体の量産化技術の開発に成功した。 　 　これにより、高価という問題点を解消し、高品質かつ低コストで、各種金属錯体のラインアップが可能となった。 　ＤＰＭ金属錯体はＰＤＰ、ＦＥＤ等のフラットパネルディスプレイ用蛍光体、半導体プロセスにおける強誘電体膜、絶縁膜、電極膜等の原料として、エレクトロニクス分野で幅広い用途が期待できるため、飛躍的な市場の拡大が予想されるとしている。 　すでにＨｆ(ハフニウム)、Ｚｒ(ジルコニウム)、Ｒｕ(ルテニウム)、Ｃｕ(銅)、Ｙ(イットリウム)、Ｂａ(バリウム)、Ｌａ(ランタン)、Ｔｂ(テルビウム)、Ｅｕ(ユーロピウム)、Ｔｍ(ツリウム)等のＤＰＭ錯体をラインアップしており、売上高は３年後に10億円を見込んでいる。