2005年12月02日

理研と東京応化、ナノ加工精度向上のナノコーティング材料開発

【カテゴリー】：新製品/新技術（経営） 【関連企業・団体】：東京応化工業

独立行政法人理化学研究所（野依良治理事長）と東京応化工業（中村洋一社長）は2日、わずか1nm 程度の厚みの保護膜によって従来のフォトレジストでは達成できなかった、高いエッチング耐性をもつ保護膜の作成に成功したと発表した。 　これは半導体分野で使用される、ナノパターニング用レジストのエッチング耐性特性を向上させる保護膜コーティング剤とプロセスの開発によって実現した。 　 　ウェット型ナノコーティング方式を採用し、新しく開発したコーティング剤を一回塗布するだけという極めて簡便な操作で保護膜が作成可能で既存の半導体プロセスに組み込むこともできるなどの特徴をもっている。 　 　半導体微細加工では、パターンの微細化と同時にレジスト膜の薄膜化が進み、それに伴ってエッチング耐性の低下が著しく、このエッチング耐性の向上が微細化への大きな技術課題だった。今回コーティング剤とナノコーティングプロセスの開発により、簡便な操作で、レジスト膜単独に比べて10倍以上の高いエッチング耐性が付与され、さらなる微細化を安価に進めることが可能となった。 　 　東京応化では今後、この成果を商品名「TSAR シリーズ」として企業向けに提案していく方針。06年秋には製品化し、本格事業化する。また同社は、今月7日〜9日に幕張メッセで行われるセミコンジャパンにあわせて6日にホテルオークラで開催する第26回東京応化セミナーでこの研究成果を発表する。 　 ニュースリリース参照 http://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file1_1133501696.pdf