2006年12月05日 |
昭和電工、超高輝度LEDの素子生産能力を月産1億個に増強 |
【カテゴリー】:経営(新製品/新技術) 【関連企業・団体】:昭和電工 |
昭和電工は5日、液晶バックライトや車載向けに需要が拡大する超高輝度4元系LED(注:1)素子の生産能力を現状の月産30百万個から1億個に増強すると発表した。 投資の主な内訳は、エピタキシャルウェハー(注:2)製造用MOCVD炉(注:3)や素子化設備の増強とこれにともなうクリーンルームの増床で、投資金額は約15億円の予定。 2007年2月から製造設備の設置工事を開始し、2007年第3四半期には月産1億個の生産能力体制を確立する。 超高輝度4元系LEDは、現在、主にディスプレーや車載用途、信号機などに使用されているが、さらに液晶バックライトやセンサー用光源(注:4)等への用途開発が進み、今後5年間は年率約40%の成長が期待されている。 同社は、超高輝度4元系LED素子について、最高輝度レベルの赤・黄・オレンジ等多色での品揃えや大型チップ、特殊サイズなど顧客ニーズに合わせた供給体制を整えた。2007年の売上げ目標は20億円超、2008年にはその倍増を目ざす。 <参考> 【注:1】4元系LED:アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、リン(P)の四つの元素の化合物から構成されるLEDの通称。元素組成の調整により赤、オレンジ、黄色、黄緑色のLEDが製造できる。 【注:2】エピタキシャルウェハー:LEDの機能を発揮するため、単結晶基板上に導電性や組成の異なる数オングストローム(Å)から数百ミクロン(μm)の半導体単結晶薄膜を複数層積層したもの。 【注:3】MOCVD炉:有機金属気相成長(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)炉。エピタキシャルウェハーを製造するための装置 【注:4】センサー用光源:遮蔽センサー(人や物の通過を検知)やデジタルカメラのオートフォーカスに使われる光源 ニュースリリース参照 http://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file2_1165294783.doc |