2009年03月09日

三菱ガス化学 EUV リソグラフィ用の新規低分子レジスト材料「MGR シリーズ」を開発

【カテゴリー】：新製品/新技術 【関連企業・団体】：三菱ガス化学

三菱ガス化学(本社:東京都千代田区、酒井和夫社長)は9日、線幅22nm 世代以降の半導体デバイス量産プロセスで導入が見込まれる極端紫外線(EUV)リソグラフィ用の低分子フォトレジスト材料「MGR シリーズ」を開発したと発表した。 　「MGR シリーズ」は、同社が独自の開発・量産技術をもつ芳香族アルデヒドを主原料とし、EUV用フォトレジストに求められる3要素(高解像度、高感度、低LWR/LER)を同時に満たす材料で、従来主流のポリマー系に比べ、分子量が1/10 程度であるため、配線パターンの線幅の粗さ(LWR)・エッジの粗さ(LER)の低減が可能。また、ポジ型・ネガ型どちらのレジストにも対応できる。2014年頃より、線幅22nm 世代以降の大量生産において導入が見込まれている。 ニュースリリース参照 http://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file1_1236584164.pdf