2009年12月08日

昭和電工、世界最高水準の表面平滑性をもった4インチウェハー量産

【カテゴリー】：新製品/新技術 【関連企業・団体】：昭和電工

昭和電工は8日、ウェハー全面が世界最高水準の表面平滑性を持つ4インチ径のエピタキシャルウェハーの量産に成功したと発表した。表面平滑性は0.4ナノメートルで、従来品に対して最大約6倍向上した。 　SiC(炭化シリコン)基板の表面上に単結晶SiC層を成膜させた。同社は今年1月から生産開始している。 　 　SiCエピタキシャルウェハーを用いたパワー半導体は、性能面で現在主流のSi(シリコン)半導体をしのいでおり、自動車・鉄道車輌・産業機器などさまざまな分野で利用されているインバーター(直流電流から交流電流に変換する装置)の主要部品として利用が期待されている。 　今回開発した高平滑表面を持つSiCエピタキシャルウェハーは、次世代インバーターの早期実現に寄与する。 　次世代インバーターに使われた場合、現在主流のSi半導体に比べて、高温動作が可能で、高電圧大電流に耐えられ、自動車、鉄道車輌、産業機器、家電機器等の電力制御部品の軽量化や小型化につながる。また、電力制御の過程で大幅な省エネルギーが可能となる。 　 ニュースリリース参照 http://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file1_1260245803.doc