2010年02月22日

JSR　ノントップコート「自己架橋型ArF フォトレジスト」を開発

【カテゴリー】：原料/樹脂/化成品 【関連企業・団体】：JSR

JSRは22日、線幅32ナノメートルハーフピッチ以降の次世代半導体製造方法である「ダブルパターニング」用材料として、トップコートが不要な自己架橋型ArFフォトレジストを開発、線幅26ナノメートルハーフピッチの加工に成功したと発表した。 昨年6月にトップコートが必要な「自己架橋型ArF フォトレジスト」を発表して以来、半導体製造工程におけるプロセスのコストダウンおよび多様化する要求に対応するための検討を続けてきた。 詳細な内容は、今月21日から米国カリフォルニア州サンノゼ市で開催中の半導体製造のリソグラフィ技術に関する国際会議「SPIE Advanced Lithography 2010」で発表する。発表予定は現地時間2月24日（講演番号 7639-39）となっている。 今回発表する自己架橋型ArF フォトレジストは、熱硬化の機能を有しており、加熱処理により材料自体が硬化することで2度目の露光用フォトレジストに不溶になる。また、トップコートがなくても、液浸露光の課題となっている水滴欠陥を最小限に抑え、フォトレジストからの溶出物質が露光装置の高性能かつ繊細なレンズ表面に悪影響を及ぼさずに露光できることを証明した。 これにより、ダブルパターニングにおける製造プロセスをさらに簡略化することができるようになる。加えて、次世代露光機での高速スキャン耐性が向上し、顧客の生産性向上に貢献する。 同社は従来のフリージング材と最先端ArF フォトレジストを組み合わせて使用する方式、また自己架橋型ArFフォトレジストに業界標準となっている液浸露光用トップコートTCX シリーズを組み合わせて使用する方式、さらに今回開発したトップコートが不要な自己架橋型ArF フォトレジストを使用する方式を持ったことになり、顧客の選択する製造工程に合わせた、さまざまなソリューションが提供できることになったとしている。 ニュースリリース参照 http://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file2_1266830151.pdf