2010年05月11日

BASF、半導体に使用される最先端の銅配線めっきプロセスをIBMと共同開発

【カテゴリー】：新製品/新技術 【関連企業・団体】：BASF

BASF(本社:ドイツ　ルートヴィッヒスハーフェン)は、将来の半導体(チップ)技術にも対応可能な最先端の銅配線めっきプロセスをIBMとの共同開発プログラムにより確立したと発表した。これは、2007年6月から取り組んでいたもので、今後は大量生産に適したプロセスの探索を共同で行っていく計画であり、関連する技術、化学物質、材料などについては2010年半ばに商業化される予定である。 チップ技術の微細化は、現在32ナノメートル(nm)技術ノードまで進んでおり、2011年には次世代の22ナノメートルノードも実用化される見込みである。新銅めっき法は、32ナノメートル、22ナノメートルの両ノードにおいて対応可能であり、銅配線の信頼性を大幅に高め、チップのパフォーマンスと品質を向上させると期待されている。