2010年05月13日
日本ゼオンとIBM、半導体エッチング技術を共同開発
【カテゴリー】:経営(海外)
【関連企業・団体】:日本ゼオン
古河直純社長

日本ゼオンは13日、米・IBMとの間で、FEOL(Front−End−Of−Line)向け新規エッチングガスの共同研究開発を行っていくことで合意したと発表した。

ICチップの高集積化が進むにつれ、次世代半導体デバイスの開発競争は一段と厳しさを増しているが、両社は共同で研究開発に取り組むことにより、多くの技術的課題を解決していきたいとしている。

古河直純・日本ゼオン社長は「IBMに蓄積されたさまざまな技術および産業における革新性と、日本ゼオンの独創的な化学合成技術とを融合することで、数々の技術的課題が解決され、両社に大きな相乗効果をもたらすことを期待している」とコメント。さらに「IBMとの協業によって技術的に一歩踏み込んだフィードバックを得ることで、これまで
以上に新規エッチングガスの開発期間が短縮できればと期待している」と語った。

ニュースリリース参照
http://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file1_1273715637.pdf