2010年12月09日

住友化学など共同チームの半導体研究,国際学会の注目論文に

【カテゴリー】：新製品/新技術 【関連企業・団体】：住友化学、NEDO

新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）は9日、NEDO委託事業「ナノエレクトロニクス半導体新材料・新構造ナノデバイス技術開発」プロジェクトで東京大学、産業技術総合研究所、住友化学、物質・材料研究機構の共同チームの研究成果が、半導体デバイス分野で世界的に権威のある国際学会「IEDM2010」の注目論文に選出されたと発表した。 選出された論文は「シリコンプラットフォーム上3−〓族半導体チャネルトランジスタ技術の研究開発」がテーマ。 この研究成果は、3−〓族化合物半導体の高い移動度を利用した次世代CMOSトランジスタの実用化に向けて共同チームが開発し、今回学会で発表の3つの基本技術（「極薄チャネル形成技術」「メタルソース/ドレイン形成技術」「高移動度界面制御技術」）のうちの「極薄チャネル形成技術」に関するものである。 具体的には、3.5nmの極めて薄い3−〓チャネルを持つ3−〓MOSFET、さらに薄膜埋め込み酸化膜を組み合わせたダブルゲート3−〓MOSFETを開発し、その動作実証に世界で初めて成功した。