2011年06月10日

NEDO、超低電力LSI実現へ次世代半導体微細加工技術開発に着手

【カテゴリー】：新製品/新技術 【関連企業・団体】：NEDO

新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）は10日、超低電力LSIの実現に不可欠な半導体構造の微細化に対応できる半導体デバイスプロセス基盤技術を確立するため「次世代半導体微細加工・評価基盤技術」の開発に着手したと発表した。 これは、EUVL基盤開発センター（EIDEC＝日本企業11社で今年1月に設立）、大阪大学などと共同で実施する。ここでは、極端紫外光（EUV）リソグラフィに必要なマスクブランクやマスクパターンの欠陥検査・評価・同定技術、及びレジスト材料の露光性能やアウトガス評価を含めた評価技術や材料開発など、回路線幅16ナノメートルよりも細いものに対応可能な技術の確立に向けて研究開発を進める。 研究期間は2015年度までで、今年度事業規模は約37億円（NEDO負担は約28億円）を予定している。