2011年09月27日

産総研と住友化学、世界初の高品質ゲルマニウムプラットフォーム基板実現

【カテゴリー】：新製品/新技術 【関連企業・団体】：住友化学、産業技術総合研究所

産業技術総合研究所は27日、住友化学と共同で高品質ゲルマニウム単結晶層の剥離と任意の基板への転写技術の開発に成功し、世界で初めてゲルマニウム（Ge）プラットフォーム基板を実現したと発表した。 これは、産総研の基板貼り合わせ技術とデバイス作製技術、住友化学の結晶成長技術をドッキングさせることで、 （1）ヒ化ガリウム（GaAs）基板上への高品質Ge及びヒ化アルミニウム（AlAs）層のエピタキシャル成長技術 （2）エピタキシャルリフトオフ法による薄膜Ge層の剥離技術 （3）高品質薄膜Ge層を任意の基板に貼り合わせる技術 ―の開発に成功した。 今回開発した技術により、Geをベースにエレクトロニクスとフォトニクスを融合した新デバイスの開発や機能集積化が期待される。 例えば、エレクトロニクスデバイスとフォトニックデバイスのワンチップ化、太陽電池の軽量化など、従来技術では不可能だった新機能の集積化、多機能化などへの貢献が期待される。