2012年08月24日

産総研と東工大、ダイヤモンド半導体トランジスタ動作に成功

【カテゴリー】：新製品/新技術 【関連企業・団体】：産業技術総合研究所

産業技術総合研究所と東京工業大学は共同で、ダイヤモンド半導体を用いた接合型電界効果トランジスタを作製し、動作させることに世界で初めて成功した。 今回、高濃度のリン不純物を添加したn型ダイヤモンド半導体を選択的に形成する結晶成長技術を開発し、これによりn型、p型、n型を横方向に接合した接合型電界効果トランジスタの作製に成功した。 このトランジスターは、オフ時の漏れ電流が小さく、7ケタ以上の高いオン・オフ比で動作することも確認した。 このように、ダイヤモンド半導体を用いた接合型電界効果トランジスタの動作が実証されたことで、省エネルギー・低損失パワートランジスターの開発に道が開かれたことになる。