2012年08月30日

昭電、パワー半導体用SiCエピタキシャルウェハーを2.5倍に増強

【カテゴリー】：経営 【関連企業・団体】：昭和電工

昭和電工は30日、秩父事業所（埼玉県）のパワー半導体用4インチ径SiC（炭化シリコン）エピタキシャルウェハーの生産能力を、従来の2.5倍増となる月産1,500枚に増強したと発表した。設備を増設したほか、生産技術の向上を図った。 SiCエピタキシャルウェハーを用いるSiCパワー半導体は、現在主流のSi（シリコン）半導体に比べて高電圧・大電流に耐えられる特長を持つ。このため、電力制御に使用するモジュールの軽量・小型化を図ることができる。また、大幅な省エネルギー化が達成できる。 こうしたことから、SiCパワー半導体は自動車・鉄道車両・産業機器・家電製品などの幅広い分野で需要の伸びが期待されている。特にモーターの回転制御等に用いられるインバーター向けに拡大が見込める。 既に一部家電製品や新エネルギー分散電源での実用化、地下鉄車両への試験搭載が始まっているが、今後は電気自動車やハイブリッドカーなどエコカーへの搭載が進むと予想される。 ニュースリリース参照 http://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file1_1346293496.doc