2012年10月17日

NIMSと理研、ディスプレイ制御に必要な金属酸化膜トランジスタ開発

【カテゴリー】：新製品/新技術 【関連企業・団体】：理化学研究所

物質・材料研究機構（NIMS）と理化学研究所（野依良治理事長）は17日、従来にない原子材料構成による金属酸化膜トランジスタの共同開発に成功したと発表した。 金属酸化膜トランジスタは、テレビ、コンピュータ、スマートフォンなどのフラットパネルの画素をスイッチするアモルファスシリコントランジスタの次世代材料として研究開発が進められている。 しかし、金属酸化膜を半導体薄膜としてトランジスタ化するためには、材料の酸素や水分に対する制御が極めて難しいため、これらの制御技術の開発が課題になっていた。 今回、NIMSと理研は、酸化インジウムに酸化タングステンを極微量添加するだけで、薄膜トランジスタとして動作するIWO薄膜を開発した。原材単価の高いガリウムを省けるだけでなく、薄膜原料量も減らせることから材料コストを低減する効果もあり、製造効率も向上する。 今回の成果は、爆発的に普及が進んでいるスマートフォンでのバッテリーの大きな消費源であるディスプレイの低消費電力化に有効なだけでなく、テレビの高精細化のための周波数向上に有効な技術として期待される。