2013年06月10日

NEDOなど、0.37Vで動作する超低電圧デバイスを開発

【カテゴリー】：新製品/新技術 【関連企業・団体】：NEDO

新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）と超低電圧デバイス技術研究組合は10日、新しいトランジスタ構造を用いた集積回路（ロジック）を開発、IT(情報技術)機器の消費電力10分の1に道を拓く0.37V（従来の3分の1）の超低電圧での動作を実証したと発表した。 同時に、従来の電荷保持型ではなく、超低電圧でのデータ記憶を可能とする抵抗変化型不揮発デバイス（メモリ）を開発した。 これにより、消費電力が1ケタ以上小さなLSI（大規模集積回路）が実現でき、電池1本でも長期間動作できる機器や、電池を持たない環境発電を活用した機器などへの応用の道が開ける。 今後は、各要素技術の集積化及び信頼性に関する検証を進めることで、それぞれのデバイスの特徴を活かした実用化実証開発を進める。