2014年06月06日

ノリタケ、次世代高耐熱金属セラミックス基板を開発

【カテゴリー】：新製品/新技術 【関連企業・団体】：ノリタケカンパニーリミテド

新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）は5日、NEDOプロジェクトでファインセラミックス技術研究組合のノリタケカンパニーがマイナス40℃から250℃の温度範囲で1000回のサイクルに耐える耐熱サイクル性を実現した次世代高耐熱パワー半導体向け金属セラミックス基板を開発したと発表した。 金属セラミックス基板は、次世代パワー半導体材料として期待される炭化ケイ素（SiC）を電力変換器に組み込む際の土台となる部品。SiC半導体の特徴を生かすため、従来品を上回る耐熱性を実現し、高温環境・大電流に対応できることが求められている。 NEDOと同研究組合は、実用化に向けて、さらに耐熱サイクル性（現状は、マイナス40℃から250℃、1000サイクル）を向上させた基板技術開発を進めていく方針である。また、同技術を実装技術に展開し、高耐熱SiCモジュールの実証を急ぐ。ノリタケでは、今回開発した金属セラミックス基板を、その他の電子部品等も含め応用展開し、製品化を図っていく計画だ。