2015年10月01日

産総研など、薄膜メモリー素子の印刷技術開発

【カテゴリー】：新製品/新技術 【関連企業・団体】：産業技術総合研究所

産業技術総合研究所は1日、理化学研究所、高エネルギー加速器研究機構、科学技術振興機構と共同で、低分子系有機強誘電体を用いた薄膜メモリー素子を、溶液をパターニング塗布して製膜する印刷法により常温・常圧化で製造する技術を開発したと発表した。 有機強誘電体では、デバイス化に必須となる薄膜化が難しいことが課題となっていた。 今回開発した技術は、溶液からの膜形成を促す新たな印刷法により、極めて均質性の高い強誘電体単結晶薄膜を形成するもので、同技術で作製した薄膜素子はわずか3Vの電圧でメモリー動作する。 今回開発した技術により、プリンテッドエレクトロニクスによる強誘電体メモリーや不揮発トランジスタなどの低消費電力デバイスの研究開発が大きく加速されると期待される。