2015年10月02日

昭電、欠陥密度大幅低減の半導体用エピウエハー開発

【カテゴリー】：経営 【関連企業・団体】：昭和電工

昭和電工は2日、パワー半導体の材料である炭化ケイ素（SiC）エピタキシャルウェハー（エピウェハー）の4インチ（100mm）品と6インチ（150mm）品で、欠陥を大幅に低減した新グレード「ハイグレードエピ（HGE）」を開発、今月から販売開始すると発表した。 SiCパワー半導体は、現在主流のシリコン製に比べ耐高温・高電圧特性や、大電流特性に優れ、電力損失も大幅に削減できることから、電力制御に用いるモジュールの軽量・小型化と高効率化を実現する次世代型パワー半導体として注目され、すでにデータセンターのサーバー電源や新エネルギーの分散型電源、地下鉄車両などに採用が進んでいる。今後は自動車への搭載など、さらなる拡大が見込まれている。 また発電・送電系統への適用を目的とした10KV級超高耐圧デバイスの研究開発も進められている。 今回開発したHGEでは、表面欠陥を同社従来品の3分の1である0.1個/cm2に、また基底面転位を従来品の100分の1以下である0.1個/cm2以下にコントロールすることが可能となった。 なおSiCパワー半導体エピタキシャルウェハーの市場規模は、2025年には1,000億円規模に拡大すると予想されている。