2016年07月12日

日立化成、CMPスラリー技術で基本特許取得

【カテゴリー】：新製品/新技術 【関連企業・団体】：日立化成

日立化成は12日、半導体回路平坦化用研磨材料（CMPスラリー）の一種である、高純度セリウム粒子系CMPスラリーで基本特許を取得したと発表した。特許番号は「第5882659号」。 同社はCMPスラリーの製品ラインアップのうち、酸化セリウム粒子系CMPスラリーで、研磨による半導体ウエハーへの傷（研磨傷）を抑制することが可能な高純度化技術を開発した。研磨傷の原因となるケイ素不純物を1ppm（百万分の1）以下に低減した。研磨傷は70％減少した。2003年に特許出願し、このほど正式取得した。