2016年07月19日

昭電、阪大の次世代半導体実装プロジェクトで成果

【カテゴリー】：新製品/新技術 【関連企業・団体】：昭和電工

昭和電工は19日、同社が参画する大阪大学・菅沼克昭教授（産業科学研究所）のプロジェクトが、300℃の高温域でも安定的に動作するSiCパワー半導体の基板構造を開発したと発表した。 同プロジェクトは、耐熱性に優れたSiCパワー半導体の基板構造開発を目的として、研究の第一人者である菅沼教授を中心に推進する産学連携プロジェクト。菅沼教授はアルミニウムの耐熱特性に注目して、アルミ材料と実装技術を開発し、ー40℃から300℃の温度サイクル条件下でも欠損が生じない材料構造を実現した。 昭和電工はDBA基板および冷却器の材料開発と接合（ろう付け）、基板構造全体の放熱設計で同プロジェクトに参画してきた。同社はアルミ冷却熱・熱交換器事業に長年の実績を有し、パワー半導体冷却器では2010年に小山田記念賞を受賞している。 関連ファイル（昭和電工・2010年11月30日付ホームページ） http://www.sdk.co.jp/news/2010/aanw_10_1315.html ニュースリリース http://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file1_1468909541.pdf