2016年08月30日

東大、アモルファス物質におけるフォノン散乱起源 解明

【カテゴリー】：ファインケミカル 【関連企業・団体】：東京大学生産技術研究所、東京大学

東京大学の田中肇教授（生産技術研究所）らの研究グループは30日、アモルファス物質におけるフォノンの過剰散乱とその起源を解明したと発表した。 一般にアモルファス物質における長波長領域の散乱はレーリー散乱によると信じられてきたが、この常識に反し、弾性率の長距離相関に起因した過剰なフォノン散乱が存在することが明らかとなった。田中教授らは、アモルファス物質におけるフォノン散乱は、その熱物性、機械物性のかかわる基本的な現象だが、その散乱に弾性率長距離相関というこれまでまったく考えてこなかった因子が存在することを発見した。 論文は英国の科学雑誌「Nature Materials」に掲載された。