2016年09月12日

東北大と東工大、酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性を解明

【カテゴリー】：ファインケミカル 【関連企業・団体】：東北大学、東京工業大学

東北大学は12日、金属材料研究所の今野豊彦教授と東京工業大学元素戦略研究センターの清水荘雄特任助教らの研究グループが、スマホやパソコンのトランジスタ（スイッチ）に使われている酸化ハフニウムを基本組成とした強誘電体の電源を切った時に貯められる電気の量や、使用可能な温度範囲といった基礎特性を解明したと発表した。 結晶方位を制御した単結晶薄膜を電極上に作製することにより、これまで明らかになっていなかった特性の解明に成功した。その結果、酸化ハフニウム基の強誘電体が従来使用されてきた強誘電体に匹敵する特性を有することが明らかとなった。強誘電体を用いたメモリーは、交通機関の定期券等に使用されている非接触式ICカード（電力マネー）として実用化されている。 今回の成果によって明らかにされた優れた特性と、これまでの物質では不可能だった薄膜化しても物性が劣化しない特性を活用すれば、今後、メモリーの飛躍的な高度化が期待できる。 同成果はネイチャーの姉妹誌「Scientific Reports」9月9日付に掲載された。