2017年08月07日

昭電、新日鉄住金グループから半導体用SiC資産取得

【カテゴリー】：経営 【関連企業・団体】：昭和電工

昭和電工は7日、新日鐵住金及び新日鉄住金マテリアルズから、パワー半導体材料である炭化ケイ素（SiC）ウェハーの昇華再結晶法に関する関連資産を譲り受けると発表した。2018年1月末をめどに関連する特許、知的財産、開発用設備、ノウハウなどの技術を幅広く譲り受けることにした。譲渡価格などは非開示。 SiCパワー半導体は、現在主流のSi（シリコン）に比べて、耐高温・耐電圧・大電流特性に優れ、モジュールの軽量・小型化と省エネルギー化を可能にする。このため次世代パワー半導体として注目されるが、今後一層の普及を図るためには、結晶欠陥の低減と低コスト化などの課題を解決する必要がある。 昭電は、2005年からSiC エピタキシャルウェハー（エピウェハー）の技術開発に取り組み、現在、月産3000枚規模の製造・販売中。今回、新日鉄住金グループの保有技術を取得し、さらなる技術や品質の向上に生かすことにした。同社はパワー半導体SiCを「優位確立事業」と位置付けており、市場ニーズに対応した製品開発、供給体制構築を急ぐ方針だ。 ニュースリリース参照 http://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file1_1502077510.pdf