2017年08月23日 |
昭和電工、高出力用途向け赤外LED製品を拡充 |
【カテゴリー】:新製品/新技術 【関連企業・団体】:昭和電工 |
昭和電工は23日、パワー半導体モジュールのゲートドライバー用フォトカプラーやIoT関連各種センサー用に使用される赤外LEDチップ(赤外LED)の製品ラインアップを拡充したと発表した。 同社はLPE法の標準型LEDと、MOCVD法の透過型および反射型LEDの3種類で赤外LED事業を展開しているが、これまでの技術を生かし、新たに「ダブルジャンクション反射型LED」と「P-アップ反射型LED」の2製品を追加した。チップ構造の選択肢が増えることで、パッケージやモジュールにおける回路設計の自由度が高まるとしている。 【ダブルジャンクション反射型LED】 発光層を2層にしたチップで、従来の反射型LED チップの2倍近い出力を実現した。生体認証や監視カメラ、バーチャルリアリティ、車載センサーなど高出力が求められる用途に適している。 【P-アップ反射型LED】 反射型LEDで主流のN-アップ構造と極性を逆にした製品。赤外LEDで広く用いられているLPE法ではP-アップ型が主流だが、同じ回路設計で高出力モジュールを開発したいとのユーザー・ニーズに応えた。 同社は、LED チップメーカーとして40年の歴史を持ち、4元系、ガリウムヒ素系、ガリウムリン系など多種のLED チップを生産・販売している。近年は特に赤外LEDの事業拡大に取り組み、メイン工場である秩父事業所のほか、今年4月には昭光エレクトロニクスを完全子会社化し、鹿児島県日置市にも生産体制を構築した。 ニュースリリース参照 http://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file1_1503467965.pdf |