2017年09月14日

昭電、パワー半導体用エピウェハー 高品質グレード増強

【カテゴリー】：経営 【関連企業・団体】：昭和電工

昭和電工は14日、パワー半導体の材料である炭化ケイ素（SiC）エピタキシャルウェハー（エピウェハー）の高品質グレードエピウェハー「ハイグレードエピ（HGE）」の生産能力を増強すると発表した。現有月産3000枚能力を5000枚に拡大する。稼働開始は2018年4月の予定。 SiC パワー半導体は、現在主流のSi（シリコン）に比べ耐高温・耐電圧・大電流特性に優れ、次世代パワー半導体として注目されている。需要も電気自動車用充電スタンドの普及が追い風となり2020まで年率27％の大きな伸びが見込まれている。 昭和電工が開発したHGEは、結晶欠陥とされる基底面転位を0.1個/cm2 以下に抑えた。2015年の発売以来、国内外のデバイスメーカーから高い評価を受けてきた。SiC-SBD用だけでなく、SiC-MOSFETの実用化もさらに進むことから設備の大幅増強を決めた。 ニュースリリース http://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file1_1505357489.pdf