2018年01月23日

昭和電工、パワー半導体SiCエピウェハー 追加増強

【カテゴリー】：経営 【関連企業・団体】：昭和電工

昭和電工は23日、パワー半導体材料である炭化ケイ素（SiC）エピタキシャルウェハーの高品質グレード「ハイグレードエピ（HGE）」について、現在工事中の生産設備増強に続いて、さらに追加増強することを決めたと発表した。 生産能力は現在3000枚／月産で、4月には5000枚への増設工事が完了する。だが、需要が好調で直ちにフル生産が見込まれるところから追加投資し今年9月には同7000枚に拡大することにした。 SiCパワー半導体は、現在主流のSi（シリコン）製に比べて耐高温・耐電圧・大電流特性に優れ、電力制御に用いるモジュールの軽量・小型化や省エネに貢献することから次世代パワー半導体として注目されている。すでに鉄道車両やEV市場でSiCパワー半導体への切り替えが進行している。 昭電は4月に完成する新設備も年央にはフル生産となる見込みとなったため、供給安定体制をさらに固め、市場の要求に応えていくことにした。