2018年07月03日

昭電、パワー半導体用SiCエピウェハー 3次増強

【カテゴリー】：経営 【関連企業・団体】：昭和電工

昭和電工は3日、EV（電気自動車）の普及でさらに需要拡大が見込めるとして、パワー半導体材料である炭化ケイ素（SiC）エピウェハーの高品質グレード「ハイグレードエピ（HGE）」の追加増強を発表した。今年9月に月産能力を現有5000枚から7000枚に拡大するのに続いて2019年2月には同9000枚に拡大する。 SiCパワー半導体は、現在主流のSi（シリコン）製に比べて、耐高温・耐電圧・大電流特性に優れ、電力制御に用いるモジュールの軽量・小型化と省エネルギー化に貢献するなど、次世代パワー半導体として注目されている。 需要も堅調で、従来の分散型電源やデータセンターのサーバー用電源、鉄道車両のインバータモジュールに加え、急成長中のEV市場で、車載充電器や急速充電スタンド向けに採用が進んできた。 　 同社はこれまでに2017年9月と2018年1月の2回増設を行ってきた。引き続きSiCエピウェハー市場におけるトップレベルのシェアと品質の維持向上に取り組んでいく方針だ。 ニュースリリース参照 http://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file1_1530586701.pdf