2019年09月02日

単結晶ダイヤモンド基板でマルチセル構造のGaN-HEMTを世界で初めて開発

【カテゴリー】：新製品/新技術 【関連企業・団体】：NEDO

新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）は2日、三菱電機、産業技術総合研究所と共同で、高い熱伝導率を持つ単結晶ダイヤモンドを放熱基板に用いたマルチセル構造の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（GaN-HEMT）を世界で初めて開発したと発表した。 今回の技術開発成果は、移動体通信基地局や衛星通信システムに搭載される高周波電力増幅器の電力効率の向上により、低消費電力化に貢献することが見込まれる。開発成果の詳細は、9月2日から5日まで名古屋大学で開催される「国際固体素子・材料コンファレンス」で9月4日に発表される。