2020年02月19日

旭化成など、中波長紫外線領域の半導体レーザ発明

【カテゴリー】：行政/団体 【関連企業・団体】：旭化成

科学技術振興機構（JST）は19日、名城大学の赤﨑勇終身教授らの研究グループと旭化成の共同研究により、世界初の中波長紫外線(UV-B波長領域)半導体レーザを発明したと発表した。赤﨑教授が青色LEDの発明でノーベル賞を受賞した窒化物半導体を用いた。 レーザ光はLEDや太陽光など自然界に存在する光とは異なり波長・位相が制御された究極的な光源であり、医療・工業・家電・情報通信・計測・フォトニクスなどさまざまな新しい産業・学問分野が創造されている。 レーザ光を生み出す装置のうち、半導体レーザは小型・高効率・低消費電力など優れた性能を有していることから、レーザ光の社会実装に大きく貢献している。 これまで赤外線・赤色・緑色・青色レーザが実用化され社会実装されており、より波長が短くエネルギーの大きな紫外線(UV)領域のレーザの実現が強く望まれていた。紫外線は長波長紫外線(UV-A:光の波長が380～320nm)、中波長紫外線(UV-B:320～280nm)、短波長紫外線(UV-C:280nm以下)の3種類に分類される。 既に、名城大学や浜松ホトニクス㈱などのグループから長波長紫外線領域の半導体レーザが、旭化成および名古屋大学のグループから短波長紫外線領域の半導体レーザの実現が報告されていた。今回の成果により、紫外線領域全域にわたって半導体レーザが実現できることが実証された。 同研究成果は、2月17日(英国時間)に英国物理学会発行の科学誌「Applied Physics Express」に掲載された。 ニュースリリース https://www.jst.go.jp/pr/announce/20200219/index.html