2020年06月30日 |
AGC、次世代パワー半導体材料開発会社に追加出資 |
【カテゴリー】:経営 【関連企業・団体】:AGC |
AGCは30日、次世代パワー半導体材料の開発会社であるノベルクリスタルテクノロジー(NCT、本社:埼玉県狭山市、倉又朗人社長)への追加出資を決めたと発表した。 NCTは現在、4インチまでの酸化ガリウムウェハの開発・製造・販売に成功しており、100%に近い世界シェアを有している。追加出資により、2023年の酸化ガリウムウェハ実用化に向けて開発スピードを加速させる。 パワー半導体は、電力の制御を行う電子部品として、サーバー・自動車・産業用機械・家電製品などさまざまな電気・電子機器に組み込まれている。既存材料であるシリコンよりも電力損失が少なく、耐電圧特性、大電流特性に優れるなどの特徴を有する。 酸化ガリウムはシリコンと比較しても、3000倍以上のパワー半導体性能指数を有する。他に材料として注目されている、SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)と比べても、さらに高電圧・大電流で使用できる可能性をもつ。 AGCは、ガラス製造の経験や技術を活かすことで、酸化ガリウムの早期量産化が実現できるとして、2018年に同社に出資し、共同開発を行ってきた。これまでに4インチ酸化ガリウムウェハの量産製造技術開発に成功しているが、さらなる高品質化、ウェハ大型化をめざして、今回の追加出資となった。 ニュースリリース https://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file1_1593497281.pdf |