2021年09月13日 |
昭電、ローム社とSiCウェハーで長期供給契約 |
【カテゴリー】:行政/団体 【関連企業・団体】:昭和電工 |
昭和電工は13日、高効率SiCパワー半導体事業をグローバル展開るローム社(本社:京都市右京区)との間で、パワー半導体向けSiCエピタキシャルウェハーで複数年にわたる長期供給契約を締結したと発表した。 昭電製品の品質と安定供給体制が評価されての長契となった。ローム社とは、SiCエピウェハーの特性均一性、低欠陥密度などの向上に向けた技術的な協力関係を更に強化していく方針だ。 昭電は2009年のSiCエピウェハー上市以来、システムサーバー電源や鉄道車両、太陽光発電システム用インバーター、電気自動車の高速充電スタンド用コンバーターなど、様々な用途に採用されてきた。今回、さらに大きな成長が見込まれるSiCパワーデバイス市場向けに供給が決まったことで、同事業の拡大が期待される。 昭電グループは現在、SiCエピウェハー外販メーカーとして世界最大級の規模を有している。引き続き“ベスト・イン・クラス”をめざして、急拡大する市場に高性能な製品を供給し、電力損失や熱の発生が少なく、省エネルギーなSiCパワー半導体の普及につとめる。 ( 用語の解説 ) ◆低欠陥密度:1cm2あたり何個の欠陥があるかで判断される。欠陥が存在するとそこから電流が流れてしまいデバイスとして使用できなくなるが、大電流化に対応してSiCチップは大型化するため、デバイスの歩留まり向上には欠陥密度を下げる必要がある。昭和電工は第2世代品(HGE-2G)で従来品(HGE)に比べ1/2以下の表面欠陥密度を実現した。 ニュースリリース https://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file1_1631502037.pdf |