2021年12月14日

東北大、磁気抵抗メモリ基盤新技術 確立

【カテゴリー】：ファインケミカル 【関連企業・団体】：東北大学

DXおよびカーボンニュートラル（脱炭素）社会の実現に不可欠な半導体分野は、世界的にも開発競争が激しいが、なかでも、スピントロニクス技術を利用した不揮発性メモリのスピン移行トルク磁気抵抗メモリ（STT-MRAM）と、それを混載メモリに適応した省電力ロジックは、半導体集積回路の大幅な低消費電力化をもたらすところから特に注目されている。 　 だが、将来の微細世代技術に適用して社会実装を促進するためには、記憶素子の微細化と高速動作に関する性能の向上が求められる。 東北大学材料科学高等研究所の陣内佛霖助教らの研究グループは、高速書き込み動作を特徴づける時定数を制御できる磁気トンネル接合（MTJ）の構造を提案し、5ナノメートル以下の直径を有するMTJ素子で3.5ナノ秒までの高速書き込み動作を実証した。 　 これは、STT-MRAMが将来のオングストローム世代半導体製造技術でのSRAMや高速DRAMの代替として使えることを示す重要な成果となる。 　 同研究により、超大容量・低消費電力・高性能不揮発性メモリ、およびそれを用いた超高性能・低消費電力半導体集積回路の開発が加速することが期待される。 　同成果は、12月11-15日に米・サンフランシスコで開催される、米国電子情報学会（IEEE）主催の「国際電子デバイス会議（International Electron Devices Meeting）」で発表される。 ニュースリリース参照 https://www.tohoku.ac.jp/japanese/newimg/pressimg/tohokuuniv-press20211209_03web_mtj.pdf