2022年03月28日

昭和電工、半導体向け6インチSiCウェハー量産開始

【カテゴリー】：経営 【関連企業・団体】：昭和電工

昭和電工は28日、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体に使用されるSiCエピタキシャルウェハーの材料である、6インチ（150mm）のSiC単結晶基板の量産を開始したと発表した。 　SiCパワー半導体は、現在主流のSi（シリコン）製パワー半導体に比べて耐高温特性・耐高電圧特性・大電流特性に優れ、パワーモジュールの省エネルギー・高効率化、小型化に貢献することから、電動車や鉄道、産業機器など、幅広い用途で需要が急拡大している。 　同社は、世界最大のSiCエピウェハー外販メーカーとして、最高水準の品質のSiCエピウェハーを提供し、国内外のデバイスメーカー向けに展開してきた。 　2010年から2015年にかけて経産省及びNEDO（新エネルギー・産業技術総合開発機構）の委託事業である「低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト」にFUPET（次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構）のメンバーとして参画、2018年には新日鐵住金グループ（日本製鉄グループ）が保有するSiCウェハーの関連資産を譲りうけ、量産技術の開発を行ってきた。引き続き旺盛な需要に対応し安定供給体制を構築していく方針だ。 ＜ニュースリリース参照＞ https://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file1_1648452796.pdf