2022年06月29日

ダイセル、低温・低圧の新半導体3次元プロセス開発

【カテゴリー】：新製品/新技術 【関連企業・団体】：ダイセル

ダイセルは29日、大阪大学産業科学研究所と共同で、半導体の3次元実装に対応した新な技術開発により、低温（180～250℃）・低加圧（0～0.4MPａ）・短時間（10分）・直径20μm・ピッチ150μm の、半導体のさらなる小型化・高性能化に貢献する銀幕を介した銅マイクロバンプ接合を実現したと発表した。 　 　NEDOの先導研究（助成）／ポスト5G半導体のための高速通信対応高速度3D実装技術の研究開発で得られた成果としている。 　 　伝統的な銅マイクロバンプ上に銀スパッタ膜を付与し、成長した銀の突起物により低温、低加圧および大気中の条件での短時間接合を実現した。これにより半導体の3次元実装プロセスの簡素化に大きく貢献し、先端半導体の高性能化・小型化に生かされると期待できる。 　 　ニュースリリース https://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file1_1656478477.pdf