2022年12月06日

東北大「6重界面」磁気トンネル接合素子開発

【カテゴリー】：ファインケミカル 【関連企業・団体】：東北大学

東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センターの遠藤哲郎センター長・教授のグループは5日、従来法の3倍となる6重界面磁気トンネル接合素子(iPMA Hexa-MTJ)を開発したと発表した。 　工業製品化されている従来の2重界面磁気トンネル接合素子（Double-MTJ）では困難だった、25nmの微細MTJにおいて 260℃のソルダーリフロー耐性、 1千万回（1×107回）以上に到達する高書込み耐性と400℃の耐熱性を同時に達成した。 　今回、実証した25 nm のiPMA Hexa-MTJ は、1桁nm世代 (X nm世代)の最先端のロジック半導体プロセスのデザインルールに適合している。これにより、STT-MRAMの適用範囲が最先端半導体微細加工領域にまで拡大することから、IoTやAI等の幅広い分野でのエッジデバイス等のプロセッサ(CPU)やマイコンにおける低消費電力・高性能化が図られる。Society5.0やカーボンニュートラル社会の実現へ大きく貢献すると期待できる。 　 　同成果は12月3日～7日に米国サンフランシスコで開催された、米国電子情報学会主催の「国際電子デバイス会議(IEEE International Electron Device Meeting)」で発表された。 （プレスリリース） https://www.tohoku.ac.jp/japanese/newimg/pressimg/tohokuuniv-press20221205_01web_iPMA.pdf