2023年03月01日

レゾナック、 第3世代 SiC エピウェハー 量産化

【カテゴリー】：行政/団体 【関連企業・団体】：レゾナック

レゾナック（旧昭和電工グループ）は1日、パワー半導体の材料である炭化ケイ素（SiC）エピタキシャルウェハーで、現有製品の品質をさらに改善した第 3 世代ハイグレードエピウェハーを開発し、量産開始したと発表した。 　SiC パワー半導体は、従来のシリコンウェハーを用いたパワー半導体と比べて、電力変換時の電力損失や熱の発生が少なく、省エネに貢献するデバイスとして注目され、特に電気動車（EV）や再生可能エネルギー分野などの産業用途で需要が伸長している。 　SiC エピウェハーは、SiC 単結晶基板にエピタキシャル層を成長させた製品で、SiC パワー半導体の主要材料となっている。同社は世界最大の SiC エピウェハー外販メーカーとして、世界最高品質の SiC エピウェハーを提供し、国内外のデバイスメーカーから高い評価を得ている。 　高価格帯の EV や鉄道向けなどで使われるハイエンド向けのパワー半導体は、高出力化と省スペース化を両立するために、デバイスに流れる電流密度を上げることが求められている。高い電流密度を実現するには、SiC 基板中に存在する欠陥が拡張することを防げるかどうかが技術的な課題だった。 　今回、同社は新構造のエピタキシャル技術を用いてこれらの課題を解決し、第 3 世代のハイグレードエピウェハーとして量産を開始した。製品は高電流密度でも高い信頼性を誇り、ハイエンド向けのパワーモジュールの実用化に貢献する。 　 ニュースリリース https://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file1_1677638306.pdf （参考） ▽2022年9月7日付：ニュースリリース https://www.resonac.com/jp/news/2022/09/07/2218.html ▽2022年5月23日付：ニュースリリース https://www.resonac.com/jp/news/2022/05/23/2217.html