2023年08月21日

旭化成、世界初、4インチ窒化アルミ基板製造に成功

【カテゴリー】：新製品/新技術 【関連企業・団体】：旭化成

旭化成は21日、米・子会社のCrystal IS 社（米国ニューヨーク州）が、4インチ（直径100mm）の窒化アルミニウム（AlN）単結晶基板（AlN基板）の製造に世界で初めて成功したと発表した。 　Crystal IS社はこれまでAlN基板を活用し、UV-C（深紫外線） LEDを製造・販売してきたが、今後は次世代パワーデバイス等への展開を見据え、AlN基板の外部販売に向けた活動を強化していく方針だ。 　Crystal IS社のAlN基板には、欠陥密度が低く、紫外線透過性が高く、不純物濃度が低いなどの特徴がある。今回、その特徴を活かした。 　 　また、AINは非常に広いバンドギャップエネルギーを持ち、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）よりも電力損失が小さく、耐圧が高いポテンシャルを有するこ。このためエネルギー効率に優れ、次世代のパワーデバイスへの適用やRF（高周波）アプリケーションへの展開が期待されている。 　AlN基板の製造には2000℃以上となる昇華炉内部で精緻な温度コントロールが必要であり、これが基板のスケールアップ（大口径化）にとって最大の課題だった。 　 　Crystal IS社は同分野で1997年の創業以来のノウハウを有しており、これまでも複数回のスケールアップを実現してきた。現在、年間数千枚の2インチ基板を製造しているが、4インチ基板の商業化が実現すれば、1枚あたり従来の4倍の面積で各種デバイスを製造できるようになり、生産能力・効率の大幅な向上に貢献する。 　 ニュースリリース参照 https://www.asahi-kasei.com/jp/news/2023/ze230821.html