2023年09月28日

結晶構造が異なるSiC同士のシームレスな積層に成功

【カテゴリー】：新製品/新技術 【関連企業・団体】：東北大学

東北大学 電気通信研究所の櫻庭政夫准教授らの研究グループは28日、3C-SiCと4H-SiCを積層させた ハイブリッド構造基板を同時横方向エピタキシャル成長法（SLE法）を用いて製作することに世界で初めて成功したと発表した。 　 　さらに、絶縁膜を形成したハイブリッド構造基板表面の界面準位密度を走査型非線形誘電率顕微鏡法（SNDM法）によって計測したところ、3C-SiC表面の密度を4H-SiC表面の200分の1以下まで大幅に低減できることを実証した。 　 　これらのことから、SiCパワーMOSFETデバイスの長期信頼性が大幅に向上するだけでなく、電力損失を30％以上削減でき、SiCパワー半導体デバイスを用いたシステムの高性能化・新機能創出と省エネルギー化の両立に大きく貢献できることが期待される。 　本研究成果は9月18～22日にイタリアで開催された国際会議（ICSCRM 2023）と第84回応用物理秋季学術講演会（9月19～22日、熊本）で発表された。 　 ニュースリリース参照 https://www.tohoku.ac.jp/japanese/2023/09/press20230928-05-power.html