2024年07月30日

京大、新開発炭素細線から高性能シリコン触媒

【カテゴリー】：ファインケミカル 【関連企業・団体】：京都大学

京都大学工学研究科の深見一弘准教授らの研究チームは30日、新たに開発した炭素細線製造法を用いて従来困難だった酸素ドープ型グラフェンナノリボン（GNR）の合成に成功したと発表した。 　近年、エレクトロニクス、オプトエレクトロニクス分野で、高アスペクト比シリコン加工技術が注目されている。特に積層型の3次元高集積技術（3D-LSI）の研究が進んでおり、縦方向のシリコン貫通電極作製は必要不可欠な要素技術の一つ。 　作製方法として金属アシスト化学エッチング法（MACE：Metal Assisted Chemical Etching）が注目されている。一般的にMACEでは金、銀、白金等の貴金属触媒が用いられるが、シリコン加工後の貴金属触媒の残留が大きな問題となっていた。このため金属残留問題の発生しない炭素系材料触媒が有望視されているが、触媒性能が十分ではなかった。 　今回、深見准教授らの研究チームは、新しい炭素細線製造法を開発し、従来困難だった酸素ドープ型グラフェンナノリボン（GNR）の合成に成功した。この新材料は、従来用いられてきた貴金属を凌駕する著しく高いシリコンプロセス触媒性能を発現することを明らかにした。シリコン半導体加工技術への革新的応用が期待される。 　本研究成果は7月29日に、国際学術誌「Nature Communications」にオンライン掲載された。