2024年09月25日

レゾナック、Sicパワー半導体基板、仏社と連携

【カテゴリー】：行政/団体 【関連企業・団体】：レゾナック・ホールディングス

レゾナックは24日、先進的な半導体基板材料を製造するフランスのSoitec（ソイテック社）と、パワー半導体に使用される200mm（8インチ）炭化ケイ素（SiC）エピタキシャルウェハーの材料となる8インチSiC貼り合わせ基板の共同開発契約を締結したと発表した。 　レゾナックの有する高品質なSiC単結晶基板と、ソイテック社の基板貼り合わせ技術を組み合わせることで、8インチSiCウェハーの生産性を向上し、SiCエピウェハービジネスでのサプライチェーンの多様化を目指す。 　パワー半導体は、電動車（ｘEV）や産業機器などのパワーアプリケーションにおいて、幅広い用途で採用され、今後さらなる市場規模の拡大が見込まれている。特に、SiCはシリコン（Si）に比べ、電力変換時の電力損失や熱の発生が少なく、省エネルギー化に貢献するため、需要が急拡大している。だが、SiCパワー半導体の主要材料となるSiC単結晶基板は、均一な結晶であることが求められ、その生産には、高度な技術が必要、かつ結晶成長に時間を要することから、生産性向上が課題となっている。 　レゾナックは、SiC単結晶基板にエピタキシャル層を成長させたSiCエピウェハーを生産しており、世界最高水準の品質として、国内外のデバイスメーカーから高い評価を得ている。また、8インチの大口径化を進めており、サンプル出荷を開始している。 　ソイテック社は、高品質なSiC単結晶基板を加工し、その加工面をサポート基板となる多結晶SiCウェハーに貼り合わせ、単結晶基板を薄膜分割することで、1枚のSiC単結晶基板から複数の高品質SiCウェハーを生産する独自技術（SmartSiC技術）を保有している。この技術は、生産性の向上に加え、SiCウェハー製造時のCO2排出量を最大70%削減できるため、環境負荷および、コスト面においてもメリットがある。貼り合わせ基板技術は、Siウェハーにおいて既に実用化されており、ソイテック社は同技術実用化の知見を有している。 　本共同開発において、当社は、ソイテック社にSiC単結晶を供給し、ソイテック社は、その単結晶を使ってSiC張り合わせ基板を製造する。両社の共創により、8インチSiCウェハーの生産性を向上し、SiCエピウェハービジネスでのサプライチェーンの多様化を目指す。 　 ニュースリリース参照 https://www.chem-t.com/fax/images/tmp_file1_1727159740.pdf