2002年11月27日

積水化学、高濃度オゾン利用の常圧熱CVD装置共同開発

【カテゴリー】：新製品/新技術 【関連企業・団体】：積水化学工業

積水化学工業は27日、高濃度オゾンを利用した常圧熱テオスCVD装置を、半導体プロセス研究所（東京都港区、前田和夫社長）と共同開発したと発表した。線幅90ナノ、300ミリウェーハという、現在最先端のデバイスに対応したもので、常圧熱CVDとしては国内で初めて。 　 　高濃度オゾンを利用しているため、シリコン酸化膜の埋め込みでのシーム、気泡をなくせる、などの特徴がある。事業計画は03年度6億円、05年度30億円。将来的にはプラズマ技術と組み合わせ、常圧熱と常圧プラズマの各CVD装置で数百億円の市場獲得をめざす。 　 ニュースリリース参照 http://www.chem-t.com/fax/images/02B27004.tif